AO4468 30v n-channel MOS field effect transistor load switch chip battery protection integrated circuit 10.5A

AO4468结合了先进的沟槽MOSFET。
具有低电阻封装的技术可提供。
RDS极低(开)。该装置是负载开关的理想选择。
和电池保护应用。

vds。
ID(在VGS=10V时)10.5A。
RDS(开启)(在VGS=10V时)<17 mW。
RDS(开启)(在VGS=4.5V时)<23 mW。
ESD保护。
100%UIS测试。
100%RG测试

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